拓荆科技11月25日召开2024年第三季度业绩说明会，公司董事长吕光泉在和投入资金的人进行交流时表示，公司一直专注于高端专用半导体设备研发与产业化，从始至终坚持自主创新，为客户提供具有竞争力的产品，并在研发团队、技术积累、产品平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势。目前，公司的PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）等薄膜系列新产品已大范围的应用于集成电路领域。此外，公司推出的应用于三维集成领域的混合键合系列新产品已实现产业化。相关这类的产品均已达到了国际同类设备领先水平，为公司后续研发奠定了扎实的基础。

  拓荆科技成立于2010年，是国内专用量产型PECVD、ALD、SACVD等薄膜设备系列新产品及键合设备的领军企业。公司从始至终坚持自主研发，构建了完善的知识产权体系，拥有多项国际先进的核心技术。

  公开多个方面数据显示，今年前三季度，拓荆科技实现营业收入22.78亿元，同比增长33.79%；实现归属于上市公司股东的净利润2.71亿元，同比增长0.10%。三季度，拓荆科技实现营业收入10.11亿元，环比增长27.17%；实现归属于上市公司股东的净利润1.42亿元，环比增长19.33%。

  说明会上，针对投资者关心的订单情况，吕光泉表示，公司2024年1月份至9月份出货金额同比增长超过160%；截至三季度末，合同负债和存货相较第二季度末均呈现良好增长态势，能体现截至三季度末公司在手订单饱满。公司对2024年全年新签订单趋势较为乐观。

  一直以来，拓荆科技从始至终保持较高强度的研发投入，不断推出新产品及新工艺，持续进行设备平台及反应腔的优化升级。今年，拓荆科技还推出了新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D），逐步扩大产品及工艺覆盖面，提升产品核心竞争力。

  据吕光泉介绍，两款新型设备平台的设计逐步提升了设备产能，机械产能可提高约20%至60%；两款新型反应腔则逐步提升了薄膜沉积的性能指标，包括薄膜均匀性、颗粒度等指标，能够完全满足客户在技术节点更新迭代的过程中对高产能及更严格薄膜性能指标的需求。

  对于投资者有关后续研发重点的提问，吕光泉表示，公司将持续跟进国内芯片制造技术的迭代创新和下游客户加快速度进行发展的需求，不断突破核心技术，拓展新工艺，逐步扩大薄膜工艺覆盖面，提升薄膜工艺均匀性、颗粒度等关键性能指标，并逐步扩大混合键合设备应用领域。

  拓荆科技也在积极拓展海外业务，今年上半年，公司在日本成立了全资子公司。据吕光泉介绍，公司已有设备出货至日本，目前也在积极拓展其他海外市场。

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